国家科技成果网
热门搜索:  激光   高分子   石油   并网   纳米   太阳能光伏
扫描二维码关注国科网

国家科技成果网 首页 成果 查看内容

低压半导体器件设计和制造技术

2012年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
大功率整流二极管的压降组成:总压降VF由体压降V m、高低扩散结压降 V j01 (p+p结)、V j02(n+n结)以及pn结压降V j 四部分组成。
减少Vm的关键是尽量减小W/2La的比值,也就是要在设计及工艺上尽量缩短基区宽度 W,保持基区少子的长寿命。本产品采用超薄基区设计和独特的纵向结构优化设计;使用单面减薄工艺,实现超薄硅片扩散;涂硼开管扩散,磷、硼吸收...
相关成果

标签云

相关机构

Copyright 2001-2020 All Rights Reserved© 国科网 版权所有
国家科技成果信息服务平台 主管单位:科学技术部火炬高技术产业开发中心
京ICP备09035943号-33 京公网安备110401400097
在线客服系统